banner
Центр новостей
Наше портфолио продуктов и услуг включает в себя ряд исключительных возможностей для вас.

Улучшение Холла фотонного спина с помощью нанофотонного резонатора для сенсорных приложений

Oct 20, 2023

Том 13 научных докладов, Номер статьи: 9292 (2023) Цитировать эту статью

31 доступ

Подробности о метриках

В этой рукописи представлена ​​структура диэлектрического резонатора с измененными дисперсионными характеристиками для усиления эффекта Холла фотонного спина (PSHE). Структурные параметры оптимизированы для улучшения PSHE на рабочей длине волны 632,8 нм. Анализ угловой дисперсии в зависимости от толщины проводится для оптимизации структуры и получения исключительных точек. Спиновое расщепление, индуцированное PSHE, показывает высокую чувствительность к оптической толщине дефектного слоя. Это дает максимальное поперечное смещение на основе PSHE (PSHE-TD) примерно в 56,66 раза больше рабочей длины волны при угле падения 61,68°. Кроме того, также оцениваются возможности конструкции в качестве датчика показателя преломления на основе PSHE. Аналитические результаты демонстрируют среднюю чувствительность около 33 720 мкм/RIU. Структура демонстрирует примерно в пять раз более высокий уровень PSHE-TD и улучшение чувствительности примерно на 150% по сравнению с недавно сообщенными значениями для резонансных структур с потерями. Благодаря конфигурациям PhC-резонаторов, состоящих исключительно из диэлектрических материалов, и значительно более высокому PSHE-TD, предусматривается разработка недорогих устройств на основе PSHE для коммерческого применения.

Спин-орбитальное взаимодействие (СОВ) — фундаментальное явление, наблюдаемое в различных областях научных исследований, таких как физика конденсированного состояния, спинтроника и фотоника. В последние годы возрос интерес к исследованию спинового эффекта Холла (СЭХ) в электронах, который представляет собой совокупность релятивистских явлений КНИ1. Способность генерировать, манипулировать и обнаруживать спиновые токи привела к появлению таких приложений, как булева логика, память, вычисления и аппаратная безопасность2,3,4 и т. д. Аналогичным образом, эффект Холла фотонного спина (PSHE) показал различные многообещающие применения. и ожидается, что он покажет превосходную производительность благодаря своему присущему преимуществу. PSHE относится к зависимому от спина поперечному сдвигу фотонов относительно геометрической оптической траектории, когда луч проходит через оптический интерфейс или неоднородную среду5,6. Блиох и др. в 2004 году представил топологическое спиновое расщепление фотонов в неоднородной среде, используя концепцию геометрической фазы Берри (GBP)7,8. Онода и др. в том же году предположил наличие PSHE на основе разговора GBP и оптического углового момента (OAM)9 и далее предложил комплексный теоретический подход для расчета PSHE в 2007 году10. Таким образом, происхождение PSHE связано с SOI света , ОАМ и геометрические фазы, т.е. фаза Рытова-Власимирского и фаза Панчаратнама-Берри11. Из-за эффекта PSHE отраженный луч расщепляется на соответствующие состояния поляризации (RCP/LCP или H/V-поляризация).

Первая экспериментальная демонстрация PSHE была проведена в 2008 году Hosten et al. на границе раздела воздух-стекло12. После этого исследование PSHE было проведено в киральных материалах13, тонких металлических пленках14, топологических материалах15, двумерных атомных кристаллах16, метаматериалах17, фотонных кристаллах (PhC)18 и т. д. Здесь основной упор делается на усиление PSHE, которое был исследован с использованием различных нанофотонных методов, таких как угол Брюстера19, поверхностный плазмонный резонанс (SPR)20,21,22, оптическая накачка23 и резонанс моды с потерями (LMR)24 и т. д. Эти методы были использованы при разработке высокочувствительных датчиков показателя преломления с использованием PSHE14,24,25,26,27. Однако сообщаемый PSHE-TD очень низок в большинстве известных структур, что ограничивает его широкое использование в различных интересных приложениях. PSHE-TD также можно улучшить с помощью наноустройств на основе многослойных фотонных кристаллов из-за их светорегулирующих свойств28. За последние несколько лет спрос на эти устройства в различных интересных приложениях, включая биомедицинскую диагностику, измерение жидкости/газа и мониторинг окружающей среды, значительно вырос. Эти наноструктуры можно оптимизировать для управления взаимодействиями света и материи, подавляя определенную поляризацию. Это свойство усиливает PSHE и, таким образом, показывает его возможности в нескольких интересных приложениях в широком спектре научных областей31. Однако, насколько нам известно, в литературе еще не сообщалось о работах, касающихся только конфигураций PhC-резонаторов с использованием диэлектрических материалов для измерения показателя преломления с использованием улучшения PSHE.

99%). The defect layer ‘D’ is considered as \(\text {SiO}_{\text {2}}\) (similar to ‘A’ for simplicity). The materials A(\(n_{L}\)) and B(\(n_{H}\)) possess refractive indices of 1.46 and 2.2, which are calculated using the Sellmeier equation. The ‘A and B’ material's inherent loss is accounted for by taking the imaginary dielectric constant as 0.0001 and 0.0007, respectively. The physical thickness of the materials is calculated considering the Quarter wavelength Bragg stack configuration. Thus the thickness of A(\(D_{l}\)) and B(\(D_{h}\)) were selected as 128 nm and 85 nm, respectively. Initially, the defect layer thickness (\(D_{d}\)) is considered equivalent to layer ‘A’./p>